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福建pvd真空镀膜原理在线咨询「金百辰」

发布时间:2022-04-14 07:14:00        作者:金百辰










金百辰智能科技(浙江)有限公司从事汽车零部件、家电类、机械配件等塑胶成型与pvd镀膜工艺加工。

pvd真空镀膜原理与您分享PVD镀膜膜层的特点,采用PVD镀膜技术镀出的膜层,具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系数)、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点,膜层的寿命更长;同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。

PVD镀膜能够镀出的膜层种类,PVD镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表面处理方法,它能够制备各种单一金属膜(如铝、钛、锆、铬等),氮化物膜(TiN、ZrN、CrN、TiAlN)和碳化物膜(TiC、TiCN),以及氧化物膜(如TiO等)。PVD镀膜膜层的厚度—PVD镀膜膜层的厚度为微米级,厚度较薄,一般为0.3μm~5μm,其中装饰镀膜膜层的厚度一般为0.3μm~1μm,因此可以在几乎不影响工件原来尺寸的情况下提高工件表面的各种物理性能和化学性能,镀后不须再加工。






真空手套箱用磁控溅射离子镀技术为黄铜电镀亮铬的卫生洁具镀制ZrN膜。真空手套箱设备采用基材为锆的非平衡磁控溅射靶和中频电源,以及脉冲偏压电源。

(1)抽真空

5 X 10-3~6.6 x 10-13Pa本底真空。真空手套箱设备加热温度应在真空室器壁放气后又回升到100~150℃。

(2)轰击清洗

真空度:通人气真空度保持在2~3Pa。轰击电压:800~1000V,脉冲占空比20%。轰击时间:10min。

(3)手套箱

①沉积锆底层

真空度:通入气,真空度保持在s x l0-1Pa。靶电压:400—550V,靶功率15 N 30W/Crrr2。脉冲偏压:450~500V,占空比20 %。手套箱时间:5~10min。

②镀ZrN膜

真空度:通入氮气,真空度保持在(3~5) x 10-1Pa。靶电压:400~550V,靶电流随靶的面积增大而加大。脉冲偏压:150~200V,占空比80 %。手套箱时间:20~30min。

由于真空手套箱磁控溅射技术中金属离化率低,不容易进行反应沉积,获得化合物膜层的工艺范围比较窄。真空手套箱设备可采用气体离子源将反应气体离化,扩大反应沉积的工艺范围。也可以采用柱状弧源产生的弧等离子体作为离化源,柱状弧源还是辅助手套箱源。






真空镀膜材料工艺流程

原料粉末——配料——混料——原料预处理——成型——预烧——真空烧结——分拣——真空包装

溅射镀膜和蒸发镀膜的对比:

溅射镀膜工艺可重复性好、膜厚可控制,可在大面积基板材料上获得厚度均匀的薄膜,所制备的薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材料的结合力强等优点,已成为制备薄膜材料的主要技术之一,各种类型的溅射薄膜材料已得到广泛的应用,因此,对溅射靶材这一具有高附加值的功能材料需求逐年增加,溅射靶材亦已成为目前市场应用量 PVD 镀膜材料。 蒸发镀膜简单便利、操作方便、成膜速度快。从工艺制造角度上来看,蒸镀材料的制造复杂度要远远低于溅射靶材,蒸发镀膜常用于小尺寸基板材料的镀膜。





电镀

(Electroplating)就是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程,是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺从而起到防止金属氧化(如锈蚀),提高耐磨性、导电性、反光性、抗腐蚀性(硫酸铜等)及增进美观等作用。不少的外层亦为电镀。

蚀刻

通常所指蚀刻也称光化学蚀刻,指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。

工艺流程:

曝光法:工程根据图形开出备料尺寸-材料准备-材料清洗-烘干→贴膜或涂布→烘干→曝光→显影→烘干-蚀刻→脱膜→OK

网印法:开料→清洗板材(不锈钢其它金属材料)→丝网印→蚀刻→脱膜→OK






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